+7 (495) 665-02-01

W4NxE8C-SD00

4H-SiC подложка, N-тип, 76.2 мм, 8 Off, 16-30 микропор/см2, 0.015-0.028 Ом-см, двустор-я полировка Si поверхность готова к эп. росту

Консультация по продукту

Отправляя запрос вы принимаете условия конфиденциальности