+7 (495) 665-02-01

W4NRF0X-0DGx

4H-SiC подложка, n-тип, 100,0 мм, on-axis, 0,013-0,500 Ом-см, двусторонняя полировка, GaN/AlGaN HEMT (i или n-HEMT)

Консультация по продукту

Отправляя запрос вы принимаете условия конфиденциальности