+7 (495) 665-02-01

W4NRE0X-0D00

4H-SiC подложка, N-тип, 76.2 мм, On-axis, 0.013-0.500 Ом-см, двустор-я полировка Si поверхность готова к эп. росту

Консультация по продукту

Отправляя запрос вы принимаете условия конфиденциальности