+7 (495) 665-02-01

W4TRD0R-0DGx

4H-SiC полуизолирующая подложка, HPSI, 50,8 мм, on-axis, 90% ≥ 1E5 Ом-см, двусторонняя полировка, GaN/AlGaN HEMT (i или n-HEMT)

Консультация по продукту

Отправляя запрос вы принимаете условия конфиденциальности